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能量吸收能力:
能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降额曲线上查到;Vmax可从I-V特性曲线上读取,对应Imax时的电压值;tmax可用矩形法求得,数据是用2ms方波,加100次脉冲,脉冲间隔120s,|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。单位体积的能量吸收能力E上限为200-250J/cm3,也有报道超过1000J/cm3的
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晶粒边界到晶粒的电位陡降发生在≈50 ̄100nm 的距离内,称为耗尽层。这样, 在每个晶粒边界处都存在晶粒边界向两侧延展入相邻晶粒 的耗尽层。晶粒间存在耗尽层提高了压敏电阻的作用。 晶粒边界两侧两个耗尽层的存在,使得 ZnO 压敏电 阻对极性变化不敏感。在这一方面,压敏电阻像一个背对 背的二极管。进一步说,由于晶粒边界附近区域的电子被 耗尽,当施加外电压时,跨在晶粒边界上出现一电压降。 这被称作势垒电势,一般是≈2 ̄4V/(每晶粒边界)。
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ZnO晶相位于晶粒体内,为低电阻率的半导体,对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂,有大量的导电电子存在,为n型半导体。富铋相,约在750℃形成12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ,温度低于850℃参与形成焦绿石相,超过850℃后从焦绿石相中分离出来,生成含
Cr的富铋相,含有尖晶石相和Zn,随着温度的升高,Cr逐步移到尖晶石相中。
Cr有稳定尖晶石相的作用,高温冷却时,可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成,850℃时达到峰值,约950℃时消失,
反应式如下
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3
由于压敏电阻型号太多,篇幅有限,恕不一一呈现,欲知详请,欢迎拨打图片中的咨询电话与我们源林电子联系,谢谢!
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